在高精度薄膜分析的光谱椭偏仪之上,增加安装了测量角度可自动变化装置,可对应所有种类的薄膜。在传统旋转分析仪法之上,通过安装相位差板自动分离装置,提高了测量精度。
产品信息
特点
可在紫外和可见(250至800nm)波长区域中测量椭圆参数
可分析纳米级多层薄膜的厚度
可以通过超过400ch的多通道光谱快速测量Ellipso光谱
通过可变反射角测量,可详细分析薄膜
通过创建光学常数数据库和追加菜单注册功能,增强操作便利性
通过层膜贴合分析的光学常数测量可控制膜厚度/膜质量
测量项目
测量椭圆参数(TANψ,COSΔ)
光学常数(n:折射率,k:消光系数)分析
薄膜厚度分析
用途
半导体晶圆 栅氧化膜,氮化膜 SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN 光学常数(波长色散)
复合半导体 AlxGa(1-x)多层膜、非晶硅
FPD 取向膜 等离子显示器用ITO、MgO等
各种新材料 DLC(类金刚石碳)、超导薄膜、磁头薄膜
光学薄膜 TiO2,SiO2多层膜、防反射膜、反射膜
光刻领域 g线(436nm)、h线(405nm)、i线(365nm)和KrF(248nm)等波长的n、k评估
原理
包括s波和p波的线性偏振光入射到样品上,对于反射光的椭圆偏振光进行测量。s波和p波的位相和振幅独立变化,可以得出比线性偏振光中两种偏光的变换参数,即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
产品规格
*1可以驱动偏振器,可以分离不感带有效的位相板。 *2取决于短轴•角度。 *3对应微小点(可选) *4它是使用VLSI标准SiO2膜(100nm)时的值。 *5可以在此波长范围内进行选择。 *6光源因测量波长而异。 *7选择自动平台时的值。
测量示例
以梯度模型分析ITO结构[FE-0006]
作为用于液晶显示器等的透明电极材料ITO(氧化铟锡),在成膜后的退火处理(热处理)可改善其导电性和色调。此时,氧气状态和结晶度也发生变化,但是这种变化相对于膜的厚度是逐渐变化的,不能将其视为具有光学均匀组成的单层膜。 以下介绍对于这种类型的ITO,通过使用梯度模型,从上界面和下界面的nk测量斜率。
考虑到表面粗糙度测量膜厚度值[FE-0008]
当样品表面存在粗糙度(Roughness)时,将表面粗糙度和空气(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模拟为“粗糙层”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介绍了测量表面粗糙度为几nm的SiN(氮化硅)的情况。
使用非干涉层模型测量封装的有机EL材料[FE-0011]
有机EL材料易受氧气和水分的影响,并且在正常大气条件下它们可能会发生变质和损坏。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介绍在密封状态下通过玻璃测量膜厚度的情况。玻璃和中间空气层使用非干涉层模型。
使用多点相同分析测量未知的超薄nk[FE-0014]
为了通过拟合*小二乘法来分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,则d和nk都被分析为可变参数。然而,在d为100nm或更小的超薄膜的情况下,d和nk是无法分离的,因此精度将降低并且将无法求出**的d。在这种情况下,测量不同d的多个样本,假设nk是相同的,并进行同时分析(多点相同分析),则可以高精度、**地求出nk和d。