OTSUKA大冢-高速晶圆厚度映射系统

特长:
快速提供晶片内部的厚度信息。
支持多点映射测量。
*高可测量Φ300mm晶片的面内厚度。
用于半导体工艺装置(例如晶片磨削装置和临时键合器)。
内置支持

• シリコンウェーハ、SiC、GaN、各種化合物ウェーハ
• テンポラリーウェーハ

■貼り合わせウェーハ（Si/ボンディング/サポート基板）

Si膜厚分布（約775μm）

ボンディング膜厚分布（約15μm）

OTSUKA大冢-高速晶圆厚度映射系统SF-3RθOTSUKA大冢-高速晶圆厚度映射系统SF-3RθOTSUKA大冢-高速晶圆厚度映射系统SF-3RθOTSUKA大冢-高速晶圆厚度映射系统SF-3RθOTSUKA大冢-高速晶圆厚度映射系统SF-3Rθ