FE-5000
OTSUKA大冢-分光器
除能够进行高精度薄膜解析的分光光导仪外，通过安装测定角度的自动可变机构，也 适用于所有种类的薄膜.。除传统的旋转光子法外，还设置了相位差版的自动解吸机 构，提高了测量精度.
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特长。
在紫外可见(250到800 nm)波长范围内进行光导参数测量。
纳米计量器等级的多层薄膜的膜厚分析是可能的。
能够通过400ch以上的多通道分光法快速测定光导频谱。
反射角可变测量可实现更详细的薄膜分析。
通过光学常数的数据库化以及**登录功能的追加，提高操作性。
通过层膜拟合解析的光学常数测定，可以进行膜厚·膜质管理。
测量项目。
光导参数(tanψ、cosΔ)测量。
光学常数(n：折射率，k：衰退系数)分析。
膜厚的解析。
用途。
半导体晶圆。
栅氧化薄膜。
SiO2、SixOy、SiN、SiON、SiNx、Al2O3、SiNxOy、poly-Si、ZnSe、BPSG、TiN。
光刻胶的光学常数(波长分散)。
化合物半导体。
AlxGa(1-x)As多层膜，非晶硅。
FPD。
取向膜。
等离子体显示器的ITO，MgO等。
各种新素材。
DLC(Diamond Like Carbon)，超导用薄膜，磁头薄膜。
光学薄膜。
TiO2、SiO2、多层膜、防反射膜、反射膜。
光刻领域。
g射线(436nm)，h线(405nm)，i线(365nm)，KrF(248nm)等各波长的n，k评价
仕 様
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型式
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FE-5000S
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FE-5000
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測定サンプル
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反射測定サンプル
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サンプルサイズ
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100x100mm
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200x200mm
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測定方式
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回転検光子法*1
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測定膜厚範囲(nd)
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0.1nm～
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入射（反射）角度範囲
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45～90°
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45～90°
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入射（反射）角度駆動方式
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自動サインバー駆動方式
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入射スポット径*2
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約φ2.0
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約φ1.2sup*3
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tanψ測定正確さ
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±0.01以下
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cosΔ測定正確さ
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±0.01以下
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膜厚の繰り返し再現性
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0.01%以下*4
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測定波長範囲*5
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300～800nm
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250～800nm
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分光検出器
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ポリクロメータ（PDA、CCD）
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測定用光源
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高安定キセノンランプ*6
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ステージ駆動方式
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手動
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手動/自動
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ローダ対応
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不可
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可
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寸法、重量
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650（W)×400（D)×560（H）mm
約50kg
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1300（W)×900（D)×1750（H）mm
約350kg*7
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ソフトウェア
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解析
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*小二乗薄膜解析（屈折率モデル関数、Cauchy分散式モデル式、nk-Cauchy分散式モデル解析など）
理論式解析（バルク表面nk解析、角度依存同時解析）
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*1 偏光子駆動可能、不感帯に有効な位相差板着脱可能です。
*2 短軸・角度により異なります。
*3 微小スポット対応（オプション）
*4 VLSIスタンダードSiO2膜（100nm）を用いた場合の値です。
*5 この波長範囲内で選択可能です。
*6 測定波長により光源が異なります。
*7 自動ステージ選択時の値です。
原 理
試料にs波とp波を含む直線偏光を入射し、その反射光の楕円偏光を測定します。s波とp波は位相と振幅が独立に変化して、試料に依存した2種類の偏光の変換パラメータであるp波とs波の反射率の比tanψおよび位相差Δが得られます。
tanψ、consΔはエリプソパラメータと呼ばれており、分光エリプソメトリーではこの2つのパラメータの波長依存スペクトルが測定されます。
