* 1 可驱动分离器，可装卸对死区有效的相位差板。 * 2 因短轴和角度而异。 * 3 与微小斑点兼容（选项） * 4 使用 VLSI 标准 SiO2 薄膜（100 nm）时的值。 * 5 这是选择自动阶段时的值。
ITO（氧化铟锡）是用于液晶显示器的透明电极材料，由于成膜后的退火处理（热处理），其导电性和颜色得到改善。此时，氧态和结晶度也发生变化，但这种变化可能相对于薄膜的厚度呈阶梯式变化，不能视为具有光学均匀组成的单层薄膜。 对于这种 ITO，我们将介绍一个使用倾斜模型从上界面和下界面的 nk 测量倾斜度的示例。
如果样品表面有粗糙度，将表面粗糙度建模为“粗糙层”，其中大气（空气）和膜厚材料以 1:1 的比例混合，并分析粗糙度和膜厚。 . 在这里，我们描述了一个测量表面粗糙度为几纳米的 SiN（氮化硅）的例子。
有机EL材料易受氧气和水分的影响，在正常大气下可能会发生改变或损坏。因此，成膜后立即用玻璃密封。以下是在密封时通过玻璃测量薄膜厚度的示例。中间的玻璃和空气层采用非干涉层模型。
材料nk需要通过*小二乘法拟合来分析膜厚值(d)。如果 nk 未知，则将 d 和 nk 都解析为可变参数。然而，在d为100nm以下的超薄膜的情况下，d和nk不能分离，这可能会降低精度并且无法获得准确的d。在这种情况下，测量具有不同d的多个样品，并且假设nk相同，进行同时分析（多点分析）。这使得可以准确地获得nk和d。