产品资料

日本DNK科研曝光机MA-4301M光刻机

型号： MA-4301M

简介：

主要特长利用本公司开创的高速图像处理技术, 实现了Wafer与掩膜的高精度对位。装载机侧和卸载机侧*多可设置两个篮具（选购项）。备有冷却机构，可进行基板台与掩膜的温度管理（选购项）。搭载本公司开创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE）。从而实现了照射面内的均匀性以及高照度。搭载非接触预对位系统（PREALIGNER）。从而实现了高精度进给且保证基板不受任何损伤。搭载有自动掩膜更换机。并可支持掩膜存放库。

详情介绍

光刻机介绍

曝光装置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ø4″ ～ ø6″

光源超高压水银灯：500W or 1kW

曝光装置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高压水银灯：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光装置MA-4000 圆晶尺寸Ø2～4″或者Ø4～6″

光源超高压汞灯：500W 或 1kW

Ø200mm/Ø150 mm 对应曝光装置MA-4301M 材料SI 玻璃， 对齐精度自动对齐：+/- 1 μm（
峰值搜索）

Ø300mm对应曝光装置MA-5301ML 光源超高压汞灯：3.5kW Ø200mm规格也可对应

マスクレス露光装置MX-1201 曝光扫描速度43.94mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光装置MX-1201E 曝光扫描速度22.5mm/s 有效曝光区域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光装置MX-1205 曝光扫描速度9/4.5mm/s 有效曝光区域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要规格

		MA-4301M
Wafer尺寸	材料	Si,Glass
	尺寸	Φ6″ x t0.625 mm(6″ = Φ150 mm) +/- 0.2 mm
	尺寸	Φ8″ x t0.725 mm(8″ = Φ200 mm) +/- 0.2 mm
节拍时间		Proximity exposure：19 s/wafer (One parallelism compensation per lot)
对位精度		自动对位：+/- 1 μm (Peak search)
间隙		1 to 200 μm Servo motor Setup resolution：1 μm
曝光方式		Soft contact exposure Hard contact exposure Proximity exposure
尺寸・重量		本体尺寸：W 1800 x D 1650 x H 2015 mm 总重量(including lamp house)：1400 kg