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总代GD-Profiler 2™辉光放电光谱仪HORIBA堀场

型号: GD-Profiler 2™
简介:

总代GD-Profiler 2™辉光放电光谱仪HORIBA堀场GD-Profiler 2™ 可以快速、同时分析所有感兴趣的元素,包括气体元素N、O、H和Cl,是薄膜和厚膜表征和工艺研究的理想工具。GD-Profiler 2™ 配备的射频源可在脉冲模式下对易碎样品进行测试,广泛应用于高校以及工业研究实验室,其应用范围有腐蚀研究、PVD 涂层工艺控制、PV 薄膜开发以及LED 质量控制等。

详情介绍

总代GD-Profiler 2™辉光放电光谱仪HORIBA堀场

用辉光放电光谱仪去发现一个崭新的信息世界

GD-Profiler 2™ 可以快速、同时分析所有感兴趣的元素,包括气体元素N、O、H和Cl,是薄膜和厚膜表征和工艺研究的理想工具。

GD-Profiler 2™ 配备的射频源可在脉冲模式下对易碎样品进行测试,广泛应用于高校以及工业研究实验室,其应用范围有腐蚀研究、PVD 涂层工艺控制、PV 薄膜开发以及LED 质量控制等。

  • 射频发生器是 E 类标准,对稳定性和溅射坑形状都进行了优化以满足实时表面分析。

  • 射频源可以分析传统和非传统镀层和材料,对于易碎样品,还可以使用脉冲式同步采集优化测试。

  • 从 110nm到 800nm 同步全光谱覆盖,包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

  • HORIBA 研发的离子刻蚀型全息光栅具有高的光通量和光谱分辨率,光学效率和灵敏度都表现优良。

  • HDD 探测器兼具检测速度和灵敏度。

  • 内置的微分干涉仪DIP可实时测量溅射坑深度和剥蚀速率。

  • 宽敞简洁的大样品仓易于装卸样品,操作简单。

  • QUANTUM™ 软件配置了Tabler 报告编写工具。

  • **激光中心定位装置(**号:Fr0107986/国际**种类:G01N 21/67)可定位样品测试位置。

 HORIBA 的辉光放电光谱仪可以选配单色仪,实现n+1元素通道的同时也提高了设备的灵活性。

  • 辉光源结合超快速、高分辨的同步光学器件,可对导体、非导体和复合材料进行快速元素深度剖析。

  • 适用于薄膜和厚膜——从纳米到数百微米,且具有纳米级深度分辨率。

  • 典型应用领域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蚀研究、有机和微电子、材料研发、沉积工艺优化、PVD、CVD、等离子涂层、汽车、锂电池等。

  • 不需要超高真空

  • 使用高动态探测器可以测量所有感兴趣的元素(包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等)。

  • 可选附件单色仪配备的也是高动态探测器,可在image模式下做全谱扫描,极大的增加了设备的灵活性。

  • 脉冲式射频源,可选择在常规射频模式和脉冲式射频模式下工作,且可全自动匹配。

  • 辉光源采用差速双泵真空系统,可为SEM制备样品。

  • 内置等离子清洗功能。

  • 超快速溅射模式UFS可快速分析聚合物和有机材料。

  • 内置的微分干涉仪DIP,可直接在线测定深度。

  • 用于异形样品测试的各种铜阳极和附件。

  • Windows 10 软件 – 为远程安装提供多个副本



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