AMAYA天谷制作所小型生产和开发的常压 CVD 设备 D501
详情介绍
特点
这是一种批量式气相沉积设备
常压CVD装置,在大型托盘中装载多个晶圆,托盘在分散头下往复沉积。
可对应异形基板。
设备尺寸紧凑,占用空间小。
性能
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薄膜厚度均匀性
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取决于薄膜厚度和薄膜类型
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支持的晶圆尺寸
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以可加热区域为准
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气体种类
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SiH4, O2, PH3, B2H6, N2
(TEOS, TEB, TMOP, O3, TMA 可选)
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沉积温度
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350~450℃ (200~350℃)
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生产力
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―
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主要规格
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设备尺寸
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1200mm(W) x 2480mm(D) x 1940mm(H)
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加热机构
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电阻加热
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卸载
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手动方法
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分散头
(气体喷嘴)
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A63 头
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产品名称: AMAYA天谷制作所小型生产和开发的常压 CVD 设备 D501
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AMAYA天谷制作所小型生产和开发的常压 CVD 设备 D501
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