RIE-230iP 是一种负载锁定 ICP 蚀刻设备，采用电感耦合等离子体（工业层压 Plasma）作为放电形式，旨在高速加工各种材料的超精细。 该器件采用独特的龙卷风线圈电极，可有效产生稳定的高密度等离子体，实现高精度各向异性蚀刻，如硅、各种金属薄膜和化合物半导体。 此外，φ230mm托盘可同时处理多片化合物半导体。

采用龙卷风型线圈电极

可以有效地产生稳定的高密度等离子体，实现高选择性比和高精度、均匀性的蚀刻。

低伤害过程是可能的

ICP 的高密度等离子体生成可实现低偏置、低损伤的过程。

温度控制

ESC 和 He 对舞台进行冷却，并控制反应室侧壁的温度，从而在稳定条件下进行蚀刻。

• 高精度加工化合物半导体，如 GaN、GaAs 和 InP

加工难蚀刻材料，如铁电和电极材料