RIE-400iP 是 Max.4“ 晶圆的负载锁定蚀刻设备，用于各种半导体膜和绝缘膜的高精度、高均匀性。 放电形式采用独特的龙卷风线圈感应耦合等离子体，可产生均匀的高密度等离子体。 此外，您还可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子源。
新型ICP源「HSTC™： Hyper Symmetrical Tornado Coil」
高射频功率（2 kW 或更高）可高效、稳定地应用，以实现良好的均匀性。
大流量排气系统
通过采用与反应室直接相连的排气系统，实现了从小流量、低压区域到大流量、高压范围的各种工艺窗口。
支持端点监视器
它支持干涉型和发光光谱端点监视器，可在目标薄膜厚度下进行端点检测。
易于维护的设计
TMP（涡轮分子泵）和高频电源单元化，便于更换。
• 化合物半导体（如 GaN、GaAs 和 InP）的高精度蚀刻
半导体激光器和光子晶体的制造
干扰端点监视器
可实现高精度的端点检测，并控制蚀刻深度。