高密度等离子蚀刻装置，采用电感耦合等离子体（工业塑料广场）作为放电形式。 该装置是一种全 面生产设备，具有真空盒室，具有优异的工艺可重复性和稳定性。 它成为直径为 ±4 英寸的晶圆专用设备，可以安装在节省空间的地方。

新型ICP源「HSTC™： Hyper Symmetrical Tornado Coil」

高射频功率（2 kW 或更高）可高效、稳定地应用，以实现良好的均匀性。

大流量排气系统

通过采用与反应室直接相连的排气系统，实现了从小流量、低压区域到大流量、高压范围的各种工艺窗口。

支持端点监视器

它支持干涉型和发光光谱端点监视器，可在目标薄膜厚度下进行端点检测。

易于维护的设计

TMP（涡轮分子泵）和高频电源单元化，便于更换。

• 高精度加工化合物半导体，如 GaN、GaAs 和 InP

・高速加工SiC、SiO

• 蚀刻难蚀刻材料，如铁电体（PZT、BST、SBT、BT）和电极材料（Pt、Au、Ru、Al）