是一种全  面生产设备，具有真空盒室，具有优异的工艺可重复性和稳定性。

新型ICP源「HSTC™： Hyper Symmetrical Tornado Coil」

高射频功率（2 kW 或更高）可高效、稳定地应用，以实现良好的均匀性。

大流量排气系统

通过采用与反应室直接相连的排气系统，实现了从小流量、低压区域到大流量、高压范围的各种工艺窗口。

下部电极升降机构

优化晶圆和等离子体之间的距离，确保良好的平面内均匀性。

易于维护的设计

TMP（涡轮分子泵）和高频电源单元化，便于更换。

• 高精度加工化合物半导体，如 GaN、GaAs 和 InP

・高速加工SiC、SiO

• 蚀刻难蚀刻材料，如铁电体（PZT、BST、SBT、BT）和电极材料（Pt、Au、Ru、Al）

化合物半导体晶圆的等离子切割，薄型化

难蚀刻材料用特殊电极机构