PD-100ST 是一种低温、高速等离子CVD设备，用于通过 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液体材料。 独特的自偏置方法可实现从薄膜到厚膜的低应力高质量氧化硅膜的沉积。 它是支持 ±4 英寸的研发设备。

紧凑设计

专为直径高达 ±4 英寸的晶圆而设计，采用紧凑的设备设计，节省空间。

高速沉积和应力控制

采用独特的自偏置方法，可在100nm/min以上的高速、低应力下进行成膜。

低温沉积

可在 80°C 的低温下沉积。

阶梯覆盖性优异的成膜

使用液体源 TEOS 的 LSCVD® 方法可实现具有出色步进覆盖和嵌入特性的沉积。

控制折射率

通过添加 Ge、P 和 B 液体源，可以控制折射率。

SAW 器件的温度补偿膜和钝化膜

MEMS 面罩和氧化膜牺牲层

3D 封装中 TSV（Si 通孔）侧壁的绝缘膜

光波导的核心层和包层形成