PD-270STLC 是一种低温、高速等离子 CVD 设备，用于通过 TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液体材料。 独特的自偏置方法可实现从薄膜到厚膜的低应力高质量氧化硅膜的沉积。 配备负载锁室，工艺稳定性好。 可通过 ±236mm 托盘同时沉积多个小直径晶圆，如果为 ±4 英寸晶圆，则可以安装 3 个晶圆。
配备大气输送盒室，是能够连续自动输送的批量生产用装置。
良好的薄膜厚度均匀性和稳定性
±4 inch×3片同时成膜时，膜厚均匀性±1.5%以下，即使连续10批次成膜也能获得稳定的结果。
高速沉积和应力控制
采用独特的自偏置方法，可在100nm/min以上的高速、低应力下进行成膜。
低温沉积
可在 80°C 的低温下沉积。
阶梯覆盖性优异的成膜
使用液体源 TEOS 的 LSCVD® 方法可实现具有出色步进覆盖和嵌入特性的沉积。
控制折射率
通过添加 Ge、P 和 B 液体源，可以控制折射率。
SAW 器件的温度补偿膜和钝化膜
MEMS 面罩和氧化膜牺牲层
3D 封装中 TSV（Si 通孔）侧壁的绝缘膜
光波导的核心层和包层形成