PD-200STL 是一种高速等离子CVD设备，用于通过液体源形成氧化硅 （SiO2） 膜和氮化硅 （SiN） 膜。 阴极侧护套电场产生的离子能量允许在低温下形成低应力厚膜。 该装置具有负载锁室，可实现出色的可重复性沉积。