PD-2201LC 是一种用于生产大气盒式等离子体的等离子 CVD 设备，用于形成各种硅基薄膜（SiO+、SiN 等）。 从托盘输送同时沉积多个小直径晶圆，到通过单片晶圆处理实现高均匀的沉积，我们可根据客户要求提供广泛的支持。 此外，晶圆单片处理可以更改为真空盒室，无需打开盒式室即可连续处理。

在广泛的膜质量控制
SiN沉积中，应力控制范围从800MPa到压缩200MPa不等。 此外，通过改变气体流速比，还可以控制折射率。

紧凑的节省空间的设备
电气系统被组装在与设备不同的包装盒中，使设备本身更纤薄。 （安装面积：590mm（W） × 2170mm（D））

因此，您可以灵活地安装它，以适应您的空间。

通过托盘同时形成多个晶圆输送
小直径晶圆是可能的。 （φ2“×9张、φ3”×5张、φ4“×3张）

此外，通过更改托盘，可以轻松更改晶圆尺寸。