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产品资料

SAMCO 等离子 ALD 设备 AD-230LP

型号:
简介:

电子器件的绝缘膜、钝化膜

详情介绍

概述

AD-230LP 是一种ALD(原子层沉积)设备,可控制原子级薄膜厚度。 有机金属原料和氧化剂交替供应到反应室,仅通过表面反应形成。 该装置具有负载锁定室,不会向大气开放反应室,因此可实现出色的可重复性沉积。

特点

  • 原子可以更均匀地控制层。
  • 可对高纵横比结构进行正式成膜。
  • 出色的平面内均匀性和可重复性,可实现稳定的工艺。
  • 独特的反应室结构优化了原料的气体管路和气流,从而抑制了颗粒。
  • 电容耦合等离子体 (CCP) 方法*大限度地减少了反应室体积,缩短了气体净化时间,并加快了一个循环。

应用示例


  • 氮化膜(AlN、SiN)成膜、氧化膜(AlOx、SiO2)的低温成膜
  • 电子器件栅极绝缘膜
  • 半导体、有机EL等钝化膜
  • 半导体激光器反射面
  • 向MEMS等三维结构成膜
  • 石墨烯的沉积
  • 碳纳米管保护膜粉末涂层



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