日本HORIBA堀场:计量学，HORIBA 的颗粒检测和去除系统对于提高半导体光刻工艺的产能至关重要。

日本HORIBA堀场:计量学，HORIBA 的颗粒检测和去除系统对于提高半导体光刻工艺的产能至关重要。

日本HORIBA堀场:颗粒检测系统

半导体制程综合颗粒检测

For Semiconductor manufacturing processes, where the most advanced micro-fabrication techniques are used, quality management is a critical issue that directly impacts business.

It is important to constantly inspect for the presence of particle contamination. By making use of advanced analysis technologies, HORIBA provides cost effective leading-edge particle detection solution to semiconductor manufactures.

日本HORIBA堀场 薄膜分析

薄膜分析

Thin Film Analysis

日本HORIBA堀场 LEM Series

我们的实时干涉工艺监测仪可在蚀刻/沉积制程中对薄膜厚度和沟槽深度进行高精度检测。根据应用的不同，LEM 摄像头包含 670、905 或 980 nm 激光器，当安装在任何干法蚀刻/沉积制程处理室上，直接俯视晶圆时，会在样品表面产生小激光点。

单色光照射到样品表面时会发生干涉，由于薄膜的厚度和高度变化，会导致不同的光程长度。
可实时监测蚀刻/沉积速率和厚度，也允许条纹计数或更复杂的分析，为各种工艺提供增强的制程控制终点检测。此外，接口可通过其反射率的变化来检测。

一般特征

由于采用干涉测量技术，LEM 摄像头非常适合蚀刻/沉积速率监测、条纹计数和终点检测，提供薄膜厚度和沟槽深度以及接口的高精度检测。
LEM 摄像头可以安装在任何处理室上，直接俯视晶圆，并提供样品表面的实时数字 CCD 图像，使光斑定位更简单。

GD-Profiler 2™辉光放电光谱仪

用辉光放电光谱仪去发现一个崭新的信息世界

GD-Profiler 2™ 可以快速、同时分析所有感兴趣的元素，包括气体元素N、O、H和Cl，是薄膜和厚膜表征和工艺研究的理想工具。

GD-Profiler 2™ 配备的射频源可在脉冲模式下对易碎样品进行测试，广泛应用于高校以及工业研究实验室，其应用范围有腐蚀研究、PVD 涂层工艺控制、PV 薄膜开发以及LED 质量控制等。

• 射频发生器是 E 类标准，对稳定性和溅射坑形状都进行了优化以满足实时表面分析。

• 射频源可以分析传统和非传统镀层和材料，对于易碎样品，还可以使用脉冲式同步采集优化测试。

• 从 110nm到 800nm 同步全光谱覆盖，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

• HORIBA 研发的离子刻蚀型全息光栅具有高的光通量和光谱分辨率，光学效率和灵敏度都表现优良。

• HDD 探测器兼具检测速度和灵敏度。

• 内置的微分干涉仪DIP可实时测量溅射坑深度和剥蚀速率。

• 宽敞简洁的大样品仓易于装卸样品，操作简单。

• QUANTUM™ 软件配置了Tabler 报告编写工具。

• **激光中心定位装置（**号：Fr0107986/国际**种类：G01N 21/67）可定位样品测试位置。

 HORIBA 的辉光放电光谱仪可以选配单色仪，实现n+1元素通道的同时也提高了设备的灵活性。

• 辉光源结合超快速、高分辨的同步光学器件，可对导体、非导体和复合材料进行快速元素深度剖析。

• 适用于薄膜和厚膜——从纳米到数百微米，且具有纳米级深度分辨率。

• 典型应用领域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蚀研究、有机和微电子、材料研发、沉积工艺优化、PVD、CVD、等离子涂层、汽车、锂电池等。

• 不需要超高真空。

• 使用高动态探测器可以测量所有感兴趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

• 可选附件单色仪配备的也是高动态探测器，可在image模式下做全谱扫描，极大的增加了设备的灵活性。

• 脉冲式射频源，可选择在常规射频模式和脉冲式射频模式下工作，且可全自动匹配。

• 辉光源采用差速双泵真空系统，可为SEM制备样品。

• 内置等离子清洗功能。

• 超快速溅射模式UFS可快速分析聚合物和有机材料。

• 内置的微分干涉仪DIP，可直接在线测定深度。

• 用于异形样品测试的各种铜阳极和附件。

• Windows 10 软件 – 为远程安装提供多个副本

应用：

脉冲式射频GD-OES分析含有金属和金属氧化物纳米颗粒的薄膜

HORIBA Scientific 是法国研究项目的合作伙伴，在同一个腔室中将纳米粒子喷雾耦合到 PVD 生长层上。许多关于这类新材料的研究都使用脉冲式射频 GD-OES 来分析颗粒的深度分布和复合层的厚度。

脉冲式射频 GD-OES表征锂电池电极的特点和优势。

锂电池是一种可充电电池，通过锂离子在阳极和阴极之间迁移，产生电流。无论您是研究新电极、涂层行为、充电和放电过程、过程控制，还是对锂电池进行性能比较研究，脉冲式射频GD-OES都是有价值的测试工具。

日本HORIBA堀场  RP-1

光罩/掩膜颗粒去除设备

RP-1 通过空气（或 N2）和真空抽吸自动去除光罩/掩膜上的颗粒。在光刻工艺前定期去除颗粒可延长薄膜的更换周期和掩膜的清洗周期，从而降低运行成本。

制造商: HORIBA, Ltd.

• 减少操作人员的日常工作，防止人为损坏薄膜
• 消除人工操作，防止静电放电损坏
• 在光罩存储设备中存储掩膜的前后去除颗粒，可以延长掩膜寿命
• 结合 PR-PD 系列光罩/掩膜颗粒检测系统，可确认去除颗粒后光罩/掩膜的状态。